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　　———— 四個重大突破 ————
　　長度測量極限：實(shí)現(xiàn)亞納米級的尺寸測量

　　記：您剛剛提到，本項(xiàng)目是以建立固體密度基準(zhǔn)為出發(fā)點(diǎn)。但是項(xiàng)目獲獎名稱是“測長方法創(chuàng)新及固體密度基準(zhǔn)的建立”，長度測量和建立密度基準(zhǔn)有什么關(guān)系？
　　羅：在研究固體密度基準(zhǔn)時，我們90%的工作是測長，就是測量單晶硅球的半徑。這也是研究工作中最難的部分。在此之前，國際上對長度的測量普遍采用“激光變頻”方法， 精確度只能達(dá)到納米級。而建立固體密度基準(zhǔn)，技術(shù)上則要求達(dá)到亞納米級，這幾乎是長度測量的極限。就好比我們平常生活中測長用的三角板，最多準(zhǔn)確到毫米。如果要精確到微米，用三角板就不行了，必須采用新的、高準(zhǔn)確度的測量方法或測量工具。
　　在研究中，我們提出了“機(jī)械掃描”相移干涉測長新方案，研制出一套硅球直徑高準(zhǔn)確度測量裝置，實(shí)現(xiàn)了一種具有獨(dú)立知識產(chǎn)權(quán)的超高準(zhǔn)確度測長方法，技術(shù)潛力高出國際現(xiàn)有“激光變頻”方法近1個數(shù)量級，為國際首創(chuàng)。

　　記：項(xiàng)目研究還有哪些主要創(chuàng)新點(diǎn)和重大的技術(shù)突破？
　　羅：首先，關(guān)鍵量——單晶硅氧化層厚度的精密測量方面。氧化硅層厚度測量是國際公認(rèn)的技術(shù)瓶頸之一。因?yàn)楣枨虮砻娴难趸瘜右坏┬纬删头浅７€(wěn)定，厚度一般在3—7納米，要進(jìn)一步提高硅球直徑的準(zhǔn)確度就必須實(shí)際測量。我們在國際上首次提出了理論算法與光闌濾波相結(jié)合的技術(shù)方案，將確定度控制在小于0.05納米的范圍之內(nèi)。
　　其次，信號去噪關(guān)鍵技術(shù)突破。干涉信號的準(zhǔn)確采集直接決定直徑測量準(zhǔn)確度，我們實(shí)現(xiàn)了一種高效率噪聲處理新方法，提高了信號測量準(zhǔn)確度，為國際首創(chuàng)。第三，精密絕熱控溫技術(shù)創(chuàng)新。利用“溫度補(bǔ)償效應(yīng)”和“相位疊加效應(yīng)”，研制出溫度穩(wěn)定性顯著優(yōu)于國際同行的精密絕熱控溫系統(tǒng)。此項(xiàng)技術(shù)深得國際同行的肯定，基于此項(xiàng)技術(shù)還獲得了發(fā)明專利。

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